<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <channel rdf:about="http://dspace.zsmu.edu.ua/handle/123456789/240">
    <title>DSpace Собрание:</title>
    <link>http://dspace.zsmu.edu.ua/handle/123456789/240</link>
    <description />
    <items>
      <rdf:Seq>
        <rdf:li rdf:resource="http://dspace.zsmu.edu.ua/handle/123456789/20625" />
        <rdf:li rdf:resource="http://dspace.zsmu.edu.ua/handle/123456789/15718" />
      </rdf:Seq>
    </items>
    <dc:date>2026-04-18T14:41:37Z</dc:date>
  </channel>
  <item rdf:about="http://dspace.zsmu.edu.ua/handle/123456789/20625">
    <title>Інтелектуальне навчання майбутніх лікарів засобами інформаційно-комунікаційних технологій</title>
    <link>http://dspace.zsmu.edu.ua/handle/123456789/20625</link>
    <description>Название: Інтелектуальне навчання майбутніх лікарів засобами інформаційно-комунікаційних технологій
Авторы: Іванькова, Наталя Анатоліївна; Рижов, Олексій Анатолійович
Аннотация: Процес реформування сучасної системи освіти України передбачає забезпечення якісної підготовки фахівців, зокрема, майбутніх лікарів. В умовах величезного потоку даних і скорочення аудиторного часу навчального&#xD;
процесу, ведеться активний пошук нових резервів для створення гнучкої і мобільної системи навчання.</description>
    <dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
  <item rdf:about="http://dspace.zsmu.edu.ua/handle/123456789/15718">
    <title>Образование борсодержащих комплексов в монокристаллах кремния</title>
    <link>http://dspace.zsmu.edu.ua/handle/123456789/15718</link>
    <description>Название: Образование борсодержащих комплексов в монокристаллах кремния
Авторы: Строітєлєва, Ніна Іванівна; Строителева, Н. И.
Аннотация: Выращивание бездислокационных монокристаллов кремния по методу Чохральского с минимальным содержанием макро- и микродефектов структуры является одной из главных научных проблем и задач современности. Качество создаваемых микроэлектронных устройств в значительной степени зависит от совершенства исходных монокристаллов. Поэтому необходимо выращивать монокристаллы Si, в к оторых д ислокации п олностью о тсутствуют ( или и х предельное содержание в объеме кристалла не превышает 103 см-2), с равномерным распределением легирующих и остаточных примесей, с контролируемым и ограниченным содержанием собственных точечных дефектов структуры [1].</description>
    <dc:date>2019-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
</rdf:RDF>

