|
IRZSMU >
Кафедри >
Кафедра медичної та фармацевтичної інформатики і новітніх технологій >
Наукові видання. (Медична інформатика) >
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
http://dspace.zsmu.edu.ua/handle/123456789/15718
|
| Название: | Образование борсодержащих комплексов в монокристаллах кремния |
| Другие названия: | Утворення борвмісних комплексів в монокристалах кремнію
The formation of boron-containing complexes in silicon single crystals |
| Авторы: | Строітєлєва, Ніна Іванівна
Строителева, Н. И. |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Одесса: Куприенко С. В. |
| Библиографическое описание: | Строителева Н. И. Образование борсодержащих комплексов в монокристаллах кремния / Н. И. Строителева // Инновационная наука, образование, производство и транспорт: техника и технологии, информатика, транспорт, архитектура. Кн. 2 . Ч. 1 : серия монографий. – Одесса: Куприенко С. В., 2019 – С. 14-45. |
| Аннотация: | Выращивание бездислокационных монокристаллов кремния по методу Чохральского с минимальным содержанием макро- и микродефектов структуры является одной из главных научных проблем и задач современности. Качество создаваемых микроэлектронных устройств в значительной степени зависит от совершенства исходных монокристаллов. Поэтому необходимо выращивать монокристаллы Si, в к оторых д ислокации п олностью о тсутствуют ( или и х предельное содержание в объеме кристалла не превышает 103 см-2), с равномерным распределением легирующих и остаточных примесей, с контролируемым и ограниченным содержанием собственных точечных дефектов структуры [1]. |
| URI: | http://dspace.zsmu.edu.ua/handle/123456789/15718 |
| Располагается в коллекциях: | Наукові видання. (Медична інформатика)
|
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.
|
